传合肥长鑫年底量产DDR4内存:19nm工艺、8Gb核心

前不久紫光发布在重庆投资数百亿扶植DRAM内存研发中间及晶圆厂,最快2021年量产,这对国产芯片,尤其是内存来说是一个大年夜事故。 不过在紫光之前,我们可能看到的第一个国产内...


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前不久紫光发布在重庆投资数百亿扶植DRAM内存研发中间及晶圆厂,最快2021年量产,这对国产芯片,尤其是内存来说是一个大年夜事故。

不过在紫光之前,我们可能看到的第一个国产内存应该是合肥长鑫公司的,他们比紫光做内存更早,该公司2016年景立于安徽合肥,一期工程投资就高达72亿美元(约合494亿人夷易近币),将扶植一座月产能12.5万晶圆的内存厂,今朝工厂扶植已经进入了尾声,正在进行设备安装、调试阶段。

最新消息显示,合肥长鑫的进展还跟顺利,已经提提高行机台安装,有望在Q4季度顺利量产海内第一批内存。

根据合肥长鑫之前公开的资料,去年该公司与兆易立异杀青了相助协议,合营开拓19nm工艺的DRAM内存,去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4内存样品,岁尾正式量产,月产能将达到2万片晶圆,后续赓续提升到12.5万片晶圆/月的目标产能。

此前在GSA+Memory存储峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明颁发了《中国存储技巧成长与办理规划》主题演讲,提到了长鑫的DRAM内存技巧滥觞,主要便是已破产的奇梦达公司,得到了一千多万份有关DRAM的技巧文件及2.8TB数据,在此根基上改进、研发自立产权的内存芯片,耗资跨越25亿美元。

假如岁尾顺利量产19nm工艺、8Gb核心的内存,虽然与美光、三星等公司的第三代10nm工艺还有一两代的代差,然则这个技巧水平照样可以的,由于市道市面上很多内存条也便是这个规格,用于制备单条8GB、16GB的内存条是OK的,可以说国产内存的动身点是异常高的,但后续的良率、产能提升才是关键,在这个市场上赚到钱活下去并不轻易。

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